为深入贯彻党的二十大“加快实施创新驱动发展战略，要加强企业主导的产学研深度融合，强化目标导向，提高科技成果转化和产业化水平”精神，全面落实成都市委“科技成果转化要有力有效”决策部署，将成都高新区打造具有全国影响力的创新成果中试首选地、创新驱动引领高质量发展示范区，成都高新区科技创新局深入走访、全面摸排区内具备中试功能的公共技术平台和先进制造企业，宣传“中试十条”政策，特别是引导鼓励企业平台对外提供中试服务，并以“样品生产”和“对外服务”为金标准，经过企业申报和专家评审，认定了电子信息、生物医药两个方向的首批21家中试平台。
IGBT集成电路中试平台
中试平台及建设主体：IGBT集成电路中试平台，由成都森未科技有限公司建设。
森未科技成立于2017年7月，先后被认定为成都市高新区雏鹰企业、成都市集成电路设计企业、四川省“专精特新“企业、国家高新技术企业，专注于先进IGBT芯片的国产化。
森未科技核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成，长期专注于功率半导体器件研发，深耕IGBT芯片技术和产业化近10年，累计取得相关技术专利40多项，成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，是国内产品线覆盖最广的IGBT功率半导体公司之一。森未科技的芯片产品全面采用沟槽栅+场截止技术，并已应用于工业变频、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。
平台中试服务内容：平台拥有设备33套（台），开展IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）晶圆、单管、模块的全系列光学、电学、可靠性等测试，覆盖器件失效分析和逆向分析的整套流程，提供IGBT的设计、封装、测试、应用等服务。
平台提供夹具定制化生产、集成组建设计与生产，平台先后自主开发生产了通用型老化测试平台（包括功率循环测试平台和高温反偏平台等）、80KW逆变并网及无功测试平台、变频器对拖测试平台、新能源发电类应用测试平台等一系列针对不同用户和应用场景的测试平台与集成组建，为终端客户提供各类可靠性验证、定制化设计研发服务。
平台实力：面积超过1000㎡；引进了芯片全自动制样设备、高倍光学显微镜、扫描电子显微镜、晶圆探针台、功率器件曲线追踪仪设备等，平台团队开发了多种硬件平台。（选送单位：高新区科技创新局）
