为深入贯彻党的二十大“加快实施创新驱动发展战略，要加强企业主导的产学研深度融合，强化目标导向，提高科技成果转化和产业化水平”精神，全面落实成都市委“科技成果转化要有力有效”决策部署，将成都高新区打造具有全国影响力的创新成果中试首选地、创新驱动引领高质量发展示范区，成都高新区科技创新局深入走访、全面摸排区内具备中试功能的公共技术平台和先进制造企业，宣传“中试十条”政策，特别是引导鼓励企业平台对外提供中试服务，并以“样品生产”和“对外服务”为金标准，经过企业申报和专家评审，认定了电子信息、生物医药两个方向的首批21家中试平台。
集成电路材料中试平台
中试平台及建设主体：集成电路材料中试平台，由成都芯仕成微电子有限公司建设。
芯仕成是成都高新区“四派人才”企业，是电子薄膜与集成器件全国重点实验室科技成果转化基地，建立了单晶薄膜材料及异质异构集成技术相关的仿真设计、加工制造和测试分析条件，形成了集成电路核心材料制备加工、检测分析以及芯片流片等能力，能支撑功率半导体芯片、射频芯片、光电芯片、传感芯片和类脑芯片等先进集成电路产品的研发、中试和批量试产。公司已获得授权专利18项、集成电路布图5项和软件著作权1项。
平台中试服务内容：平台建成了“实验验证一一中试熟化一一批量生产”的产业化链，拥有材料计算、制备、加工能力，支撑集成电路核心材料的中试熟化，示范带动效果显著。
针对功率半导体、6G移动通信、神经网络计算芯片、单光子探测等领域“卡脖子”问题，并面向未来新兴赛道，平台承接生产SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）、InP（磷化铟）等第三代半导体材料，YBCO（钇钡铜氧）纳米膜等量子材料，可光刻玻璃基板、陶瓷基板等封装材料，LiTa03（钽酸锂）、LiNb03（铌酸锂）等功能材料；发明新一代SiC晶圆材料，使SiC功率器件的成本降低40%，能对电动汽车、光伏发电、高铁等下游应用领域产生颠覆性影响，发明硅基LiTa03单晶薄膜，用于研制新一代射频滤波器芯片，可以解决目前我国该类产品95%依赖进口的窘状，每年有近1000亿元的市场规模。
平台实力：平台拥有员工20余人，研发人员占比60%，拥有硕博士专业技术人才占员工比例约50%；平台主要管理和技术团队有电子科技大学、德国德累斯顿工业大学相关专业背景，入选过国家级、省级先进人才行列，获得过多项发明奖励，曾在华为、夏普等头部企业任职。平台占地约2000㎡，购置价值3千万元相关设备，具备集成电路核心材料制备加工、检测分析以及芯片流片等条件。（选送单位：高新区科技创新局）
